Procede de fabrication d'un capteur comprenant une photodiode et un transistor de transfert de charges.

Abstract

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur comprenant une photodiode et un transistor de transfert associé, le procédé comprenant les étapes suivantes :E1 : formation d'une région d'isolement (214) sur un substrat (200),E2 : formation de la diode d'un premier côté (gauche) de la région d'isolement (214), la diode étant auto-alignée sur la région d'isolement (214),E3 : remplacement de la région d'isolement (214) par une grille (226) du transistor de transfert.Application à la fabrication de capteurs d'image CMOS ou CCD.

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