에스.오.아이 소자의 모스 전계효과 트랜지스터 및제조방법

Abstract

PURPOSE: A field effect transistor of an SOI(Silicon On Insulator) device and a method for manufacturing the same are provided to form a transistor by using a schottky contact and a PSG(Phosphorous Silicate Glass) layer as an insulating spacer. CONSTITUTION: An isolation layer(18) is formed on an upper portion of an SOI device including a buried oxide layer(12) and a silicon layer(14). A gate insulating layer(20) and a gate electrode are formed on the upper portion of the SOI device. An insulating spacer(22) is formed on the SOI device of sidewalls of the gate insulating layer(20) and the gate electrode. A source/drain diffusion region(24) is formed on a lower portion of both sides of the gate insulating layer(20) and the gate electrode. A metal silicide layer(28) is formed on one side of the source/drain diffusion region(24).
본 발명은 에스.오.아이 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소오스/드레인 확산영역의 수평 계면에 쇼트키 콘택을 갖는 금속 실리사이드막을 형성함으로서 소수 캐리어를 축적시키지 않고 소오스단으로 이동시켜 소자부유효과를 제거할 수 있어 소자의 내압을 증가시키며, PSG막의 절연 스페이서를 이용하여 채널의 양측 영역으로 인(P)이온을 확산시켜 후속 공정의 소오스/드레인 확산영역을 형성함으로서 소자의 전기적 특성을 향상시키는 기술에 관한 것이다.

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