반도체 박막의 표면 특성 모니터링 방법

Method for monitoring surface characteristic of thin film on semiconductor device

Abstract

PURPOSE: A method for monitoring a surface characteristic of a thin film on semiconductor device is provided to easily monitor a surface characteristic such as a roughness of a thin film surface by transforming a detected signal to a numerical value. CONSTITUTION: A ray is irradiated on a thin film(22) on a substrate(21). Dispersive ray(s) is condensed on the thin film(22). A surface component signal and a particle component signal of the thin film(22) are detected from the ray(s) condensed. The surface component signal and the particle component signal are separated and a surface increasing ratio of the thin film(22) is gotten by transforming the particle component signal to a numerical value. The substrate(21) is bare substrate on which pattern is not formed. The irradiating ray and dispersive ray are polarized by using a polarization slit at the steps of irradiation and dispersion of ray.
본 발명은 반도체 박막 표면의 거칠기 정도를 정확하고 용이하게 모니터링할 수 있는 반도체 박막의 표면 특성 모니터링 방법을 제공한다. 본 발명에서는 반도체 박막의 표면 특성을 다음과 같은 방법으로 모니터링한다. 먼저, 반도체 기판 상에 형성된 반도체 박막의 표면에 광을 조사하여 박막 표면에서의 산란광을 집광한 다음, 집광된 산란광으로부터 박막의 표면성분신호와 파티클성분신호를 검출한다. 그 후, 표면성분신호(haze)와 파티클성분신호를 각각 분리하고, 분리된 성분신호 중 표면성분신호를 수치화한 후 이로부터 반도체 박막의 표면적 증가율을 구한다.

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