트랜치를 이용한 소자분리 방법

Method of isolating between devices with trench

Abstract

본 발명은 반도체 기판 위에 질화막을 선택적으로 형성하고, 필드 산화영역의 반도체 기판을 소정 깊이로 식각하고 전면에 실리콘 산화물을 적층하고, 질화막이 증착된 반도체 기판을 등방성 식각하여 트랜치의 내측 모서리를 집중적으로 제거하고, 역트랜치를 형성하고, 소자영역 위에 적층된 실리콘 산화물을 이방성 식각하여 제거하고, 필드 산화영역에 잔류하는 실리콘 산화물을 CMP 공정으로 평탄화하고 질화막을 제거하여 최종적으로 반도체 소자를 트랜치로 분리하는 것이다. 따라서, 트랜치가 형성된 실리콘 기판 위에 형성되는 실리콘 산화물의 CMP 공정에 의한 프로파일 및 평탄도를 향상시켜 실리콘 산화 막질의 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)의 수명을 증대시킬 수 있으며, 실리콘 기판 위에 형성되는 반도체 소자의 불량율을 감소시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

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