Endpoint define method in plasma etch process

플라즈마 식각 공정에서의 식각 정지점 설정 방법

Abstract

식각 정지막이 없는 실리콘 박막 또는 다마신 유전 박막 등에서 식각되는 트렌치 깊이를 일정하게 제어하여 반도체 제품의 품질을 향상시킬 수 있도록 하는 플라즈마 식각 공정에서의 식각 정지점 설정 방법을 제공하기 위한 것으로, 식각 정지막이 없는 박막에 플라즈마 식각에 의해 형성하고자 하는 트렌치의 목표 깊이 및 그에 따른 플라즈마 식각의 목표 시간을 설정한 후, 플라즈마 식각과 동시에 단위 시간당 식각 반응물에 해당하는 발광 스펙트럼 강도를 측정하고, 단위 시간에 대해 적분 연산하여 발광 스펙트럼 강도 적분합을 구한다. 그리고, 설정된 목표 시간이 되어 플라즈마 식각이 완료되면 웨이퍼에 식각된 트렌치의 깊이를 측정한 후, 발광 스펙트럼 강도 적분합과 트렌치 깊이를 맵핑하여 관계비를 설정한다. 이후, 설정된 관계비에 의해 목표 트렌치 깊이에 해당하는 발광 스펙트럼 강도 적분합을 연산한 후, 플라즈마 식각시 단위 시간당 식각 반응물에 해당하는 발광 스펙트럼 강도 적분합이 연산된 발광 스펙트럼 강도 적분합이 되는 시간을 식각 정지점으로 설정한다.

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    KR-101274526-B1June 13, 2013가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법