플라즈마 화학 기상 증착 장치

Plasma cvd apparatus

Abstract

본 발명은 플라즈마 CVD 장치에 관한 것으로서, 반응 용기와, 반응 가스를 반응 용기에 주입하는 반응 가스 주입 파이프와, 반응 용기로부터 반응 가스를 포함하는 폐 가스(waste gas)를 회수하는 배기 파이프(exhaust pipe)와, 반응 용기내에 배열되고, 처리될 기판을 지지하고, 이 기판내에 내장된 히터를 구비한 애노드 전극(anode electrode)과, 반응 용기내에 배열되고, 애노드 전극과 마주하는 캐소드 전극(cathode electrode)과, 30MHz 내지 200MHz 주파수를 갖는 고주파 전력을 캐소드 전극에 공급하는 고주파 전력 소스를 포함하며, 비결정(amorphous), 미결정(microcrystalline) 또는 다결정(polycrystalline) 박막을 애노드 전극상에 유지된 기판상에 형성하기 위해 고주파 전력 소스로부터 공급된 전력을 이용하여 글로 방전(glow discharge)을 생성하며, 고주파 전력은 적어도 4개의 전력 공급단을 통해 캐소드 전극에 공급되고, 고주파 전력을 상기 캐소드 전극에 균일하게 공급하기 위해 배전기(power distributor)가 사용된다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle