강유전체 캐패시터 형성 방법

Method for forming ferroelectric capacitor

Abstract

본 발명은 캐패시터 형성을 위한 포토레지스트 패턴 형성, 식각, 포토레지스트 패턴 제거 및 세정 공정수를 줄일 수 있어, 세정 공정으로 인한 막의 들림 및 플라즈마에 의한 손상을 감소시킬 수 있는 강유전체 캐패시터 형성 방법에 관한 것으로, 기판 상부에 캐패시터의 하부전극을 이룰 제1 백금막, 강유전체막 및 상부전극을 이룰 제2 백금막을 차례로 형성하는 단계, 제2 백금막 상에 TiN 하드마스크를 형성하는 단계, TiN 하드마스크로 덮이지 않은 제2 백금막 및 강유전체막을 식각하여 상부전극 및 강유전체막 패턴을 형성하면서, 제1 백금막 상에 강유전체막의 일부를 잔류시키는 단계, TiN 하드마스크, 상부전극 및 강유전체막 패턴을 덮는 식각마스크를 형성하여 제1 백금막 상의 강유전체막 일부를 노출시키는 단계, 식각마스크로 덮이지 않은 상기 강유전체막을 식각하고, 제1 백금막을 식각하여 하부전극을 형성하는 단계, 식각마스크를 제거하는 단계 및 TiN 하드마스크를 제거하면서 상부전극으로 덮이지 않은 강유전체막을 제거하여 하부전극의 일부를 노출시키는 단계를 포함하는 강유전체 캐패시터 형성 방법을 제공한다.

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