Thin film transistor type fingerprint acquisition device whose light sensing part has light shield layer thereon

광감지부에 광차폐층이 형성된 박막트랜지스터 지문입력기

Abstract

본 발명은 TFT형 지문입력기에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 광감지부의 표면에, 광입사층를 제외한 영역에 광차폐층을 형성하여 지문에서 반사된 광의 입사범위를 줄이는 구조를 갖는 TFT 지문입력기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 TFT 지문입력기의 광감지부는, 지문에서 반사되어 입사되는 광이 입사되는 광입사층, 상기 광입사층의 양단에 연결된 드레인전극 및 소스전극, 상기 드레인전극 및 소스전극의 표면에 형성된 절연층, 상기 절연층 위에 형성되되 상기 광입사층이 노출되도록 형성되는 광차폐층으로 구성되는 구조를 갖는다. 이러한 구조로써, 상기 광입사층에 입사되는 광의 입사각도가 상기 광차폐층의 에지에 의해 제한되어 광입사층에 입사되는 광의 입사각 범위를 감소시키고 구조상의 물리적 강도를 증대시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.

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    KR-100964559-B1June 21, 2010삼성전자주식회사Fingerprinting device